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  • IPD031N06L3G
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    制造商:Infineon

    库存数量:100350

    单价:¥ 时价

    RoHS:是

产品详叙

数据表IPD031N06L3 G
PCN包装封面胶带宽度更新2015年/ 6月17日
封面胶带宽度取消2015年/ 7月14日
标准包装 ?2500/包
类别

离散半导体产品

家庭

场效应晶体管——单身

系列OptiMOS™
包装 ?磁带和卷轴(TR) ?
场效应晶体管类型MOSFET n沟道,金属氧化物
场效应晶体管的特性逻辑电平门
漏源电压(vds)60 v
电流连续排水(Id)@ 25°C100(Tc)
Rds(Max)@ Id,vg3.1莫姆@ 100,10 v
vg(th)(Max)@ Id2.2 vµa @ 93
门(路上)@ vg79数控@ 4.5 v
输入电容(cis)@ Vds公司13000 pf @ 30 v
权力——马克思167 w
工作温度-55°~ 175°C(TJ)
越来越多的类型面山
包/箱- 252 - 3,DPak(2 + Tab),sc - 63
供应商设备包PG-TO252-3
在线目录n沟道栅场效应晶体管逻辑水平


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